Автоэмиссионный сканирующий электронный микроскоп Шоттки JSM-7200F

JSM-7200F имеет гораздо более высокое пространственное разрешение, чем обычные модели, как при высоком, так и при низком ускоряющем напряжении благодаря применению технологии, используемой для In-Lens SchottkyPlus, электронной оптики, которой оснащена наша флагманская модель JSM-7800FPRIME, а также благодаря включению TTLS. (Система через объектив). Максимальный ток пробника 300 нА также гарантируется благодаря вышеупомянутым характеристикам. Таким образом, JSM-7200F представляет собой многоцелевой FE-SEM следующего поколения, который обладает возможностями наблюдения с высоким разрешением, высокопроизводительным анализом, простотой использования и возможностью расширения.

Особенности

Основными особенностями JSM-7200F являются электронная оптика на основе технологии «In-Lens SchottkyPlus», GB (режим мягкого луча), TTLS (система сквозного луча), которая обеспечивает наблюдение с высоким разрешением при низком ускоряющем напряжении и контролирует количество низкоэнергетические сигналы, которые должны быть обнаружены верхними детекторами, и гибридная линза объектива, которая сочетает в себе магнитную линзу и электростатическую линзу.

Электронная пушка Шоттки в объективе

Электронная пушка Шоттки в объективе (запатентованная компанией JEOL) была разработана путем оптимизации геометрии электронной пушки и конденсорной линзы с низкой аберрацией. Благодаря этой уникальной технологии электроны, испускаемые электронной пушкой, могут использоваться более эффективно, чем обычная, поэтому возможен меньший диаметр электронного зонда даже при большом токе. Таким образом, JSM-7200F способен выполнять высокопроизводительный анализ (EDS, WDS, EBSD и т. д.).

TTLS (система через объектив)

TTLS (система через линзу) — это система, которая обеспечивает наблюдение с высоким разрешением при низком ускоряющем напряжении, а также выбор различных сигналов, генерируемых образцом, с помощью GB (режим мягкого луча).
При подаче напряжения смещения на образец с GB (режим мягкого луча) падающие электроны замедляются, а электроны, испускаемые образцом, ускоряются, поэтому можно получать изображения с высоким разрешением и лучшим отношением сигнал/шум даже при низких ускоряющее напряжение/посадочное напряжение.
Напряжение фильтрации энергетического фильтра, установленного на TTLS, позволяет вам контролировать количество вторичных электронов, которые должны быть обнаружены верхними детекторами. Таким образом, изображения верхней поверхности образца, генерируемые только электронами, рассеянными под большим углом, можно наблюдать при низком ускоряющем напряжении с помощью детектора верхних электронов (ДЭД).
Электроны с низкой энергией, которые не обнаруживаются с помощью UED и отталкиваются фильтрующим напряжением, также могут быть обнаружены с помощью дополнительного детектора верхних вторичных электронов (USD). Таким образом, JSM-7200F может одновременно обнаруживать как изображение вторичных электронов, так и изображение обратно рассеянных электронов.

Гибридный объектив (сочетание магнитных и электростатических линз)

В JSM-7200F используется объектив новой конструкции, называемый «гибридным объективом».
Гибридная линза сочетает в себе магнитную и электростатическую линзы для уменьшения аберраций, что позволяет получить более высокое пространственное разрешение по сравнению с обычной внешней линзой. JSM-7200F также сохраняет удобство использования обычной внешней линзы, что позволяет без проблем наблюдать и анализировать магнитные образцы.

Приложения

Данные получены с использованием гибридного объектива и ГБ (режим мягкого луча)

Гибридный объектив с низкой аберрацией и режим ＧB (режим мягкого луча) позволяют проводить наблюдения за изоляционными материалами с высоким разрешением при очень низком ускоряющем напряжении.

× 40,000

× 150,000

Посадочное напряжение: 0.5 кВ
Образец: мезопористый кремнезем (предоставлено профессором Шунай Че, Шанхайский университет Цзяо Тонг, Китай)

Данные верхнего электронного детектора (ВЭД) с энергетическим фильтром

Эти изображения сделаны UED при низком ускоряющем напряжении. Это изображения обратно рассеянных электронов под большим углом с богатой информацией о составе, но изображение, полученное при 0.8 кВ, показывает гораздо более тонкие структуры верхней поверхности по сравнению с изображением, полученным при 5 кВ. Необходимо иметь не только верхний детектор электронов (ВДЭ), но и энергетический фильтр для получения изображений верхней поверхности в обратно рассеянных электронах, чтобы отсекать вторичные электроны.

Ускоряющее напряжение: 0.8кВ(слева), 5кВ(справа)
Энергетический фильтр: -250 В
Образец: Поверхность пластины Au.

Характеристики

Основные параметры

• Выдвижной детектор обратнорассеянных электронов (RBED)

• Детектор верхних вторичных электронов (USD)

• Низковакуумный детектор вторичных электронов (LV-SED)

• Энергодисперсионная рентгеновская спектрометрия (ЭДС)

• Дифракция обратного рассеяния электронов (EBSD)

• Рентгеновская спектрометрия с дисперсией по длине волны (WDS)

• Большой предметный столик (SS100S)

• Камера обмена образцами (Тип 1)

• Система сценической навигации (СНС)

• Камерная камера

• Операционный стол

• Смайл Просмотр

• Эмиссионный спектрометр мягкого рентгеновского излучения (SXES)

Приложения

Приложение JSM-7200F

CLEMnote

УрусиПримечание

Представляем криосканирующую электронную микроскопию

Связанные товары

Связанные товары

Эмиссионный спектрометр мягкого рентгеновского излучения (SXES)

Мягкий рентгеновский эмиссионный спектрометр (SXES) представляет собой спектрометр сверхвысокого разрешения, состоящий из недавно разработанной дифракционной решетки и высокочувствительной рентгеновской ПЗС-камеры.
Так же, как и в случае EDS, возможно параллельное детектирование и может быть выполнен анализ со сверхвысоким энергетическим разрешением 0.3 эВ (край Ферми, стандарт Al-L), превосходящий энергетическое разрешение WDS.

Система miXcroscopy™ для оптической и сканирующей электронной микроскопии

Теперь один и тот же держатель образца можно использовать как для оптического микроскопа, так и для сканирующего электронного микроскопа. В результате, управляя информацией об столике с помощью специального программного обеспечения, система может записывать места, наблюдаемые с помощью оптического микроскопа, а затем дополнительно увеличивать те же области с помощью сканирующего электронного микроскопа, чтобы наблюдать тонкие структуры при большем увеличении. более высокое разрешение. Цели наблюдения, обнаруженные с помощью оптического микроскопа, можно беспрепятственно наблюдать с помощью сканирующего электронного микроскопа без необходимости повторного поиска цели. Теперь можно плавно и легко сравнивать и проверять изображения оптического микроскопа и изображения сканирующего электронного микроскопа.

Серийный блочный СЭМ JSM-7200F・7800F / Gatan 3View®2XP

3View®2XP (Gatan Inc.) встроен в сканирующий электронный микроскоп Шоттки с полевой эмиссией, который может производить тонкие электронные зонды при сильном токе в течение длительных периодов времени, позволяя автоматически создавать поперечные сечения образца и получать изображения. Трехмерная реконструкция полученных изображений позволяет проводить детальный анализ тонких структур в трех измерениях.

Подробнее