ДЖПС-9030
Фотоэлектронный спектрометр

Благодаря использованию нового пользовательского интерфейса, позволяющего работать в японской среде, была реализована концепция «Простая, немедленная работа для всех». Кроме того, оснащенный в стандартной комплектации источником травления ионами типа Кауфмана и двойным анодом, JPS-9030 имеет широкий спектр возможностей расширения, таких как высокотемпературная система нагрева и источник газовых кластерных ионов.

Особенности

①Анализ обширной области, которую можно измерить за короткое время

JPS-9030 — это XPS, который может анализировать большую область образцов, например, область анализа порядка миллиметра, и является оптимальным для анализа среднего значения. Он позволяет получать информацию об образце независимо от сегрегации и локального загрязнения образца. Он подходит для элементного анализа, анализа состояния химической связи образцов порошка, тонкой пленки и пластины.

〇Пример использования широкополосного анализа - Элементный анализ материала катода LIB

На первый взгляд, материалы катода LIB кажутся однородными. Однако, если диапазон анализа узкий, результаты элементного анализа могут различаться. Расширяя диапазон анализа, можно получить усредненную информацию без влияния локального загрязнения.

Измерения проводились в трех местах, чтобы сузить диапазон анализа.
⇒Результаты сильно различались.

Измерения проводились в трех местах, чтобы сузить диапазон анализа.
⇒Результаты немного различались.

②Программное обеспечение SPECSURF, обеспечивающее простоту эксплуатации

Недавно разработанное программное обеспечение SPECSURF Ver. 2.0 для японского языка обеспечивает
удобная рабочая среда с использованием только мыши, объединяющая графический интерфейс в стиле ленты и систему окон с вкладками.

③Конфигурация прибора, позволяющая проводить измерения широкого спектра материалов – рентгеновский источник с двойным анодом Mg/Al-

С JPS-9030 можно использовать монохроматический рентгеновский источник и рентгеновский источник с двойным анодом Mg/Al. Рентгеновский источник с двойным анодом Mg/Al может переключать рентгеновские лучи для облучения образца между лучами Mg K и лучами Al K, что позволяет анализировать образец, содержащий много элементов, с которыми перекрываются пик фотоэлектронов и пик Оже.

-Один щелчок для установки сохранения, считывания и настройки условий
-Один щелчок для установки измерения нескольких образцов
- Функция точного прогнозирования времени завершения измерения обеспечивает бесперебойную работу
замена образца и измерение

〇Пример использования источника рентгеновского излучения с двойным анодом Mg/Al - Анализ образца, содержащего Fe, Ni

На спектре XPS одним из примеров, где пик фотоэлектронов и пик Оже перекрываются, является образец, содержащий несколько элементов переходного металла. Ниже приведен пример измерения образца, содержащего Fe и Ni. Он показывает, что перекрытия пиков, наблюдаемого с источником рентгеновского излучения Al, можно избежать с источником рентгеновского излучения Mg.

Измерение с помощью источника рентгеновского излучения Al
⇒Перекрытие пиков

Измерение с помощью источника рентгеновского излучения Mg
⇒Избегает наложения пиков

③Конфигурация прибора, позволяющая проводить измерения широкого спектра материалов – источник ионов типа Кауфмана-

JPS-9030 устанавливает источник ионов типа Кауфмана в качестве источника ионов Ar. Поскольку он допускает большой электрический ток, практическое травление может быть выполнено даже при низком ускоряющем напряжении. Это позволяет выполнять травление, сохраняя структуру образца.

Источник ионов в JPS-9030 размещен в камере подготовки образцов, что ограничивает загрязнение, вызванное травлением внутри камеры подготовки образцов, тем самым предотвращая загрязнение аналитической камеры, которая поддерживает сверхвысокий вакуум.

〇Пример использования источника ионов типа Кауфмана-многослойного пленочного зеркала Mo/Si для EUV-литографии

JPS-9030 может облучать ионы Ar с низким ускорением из вертикального направления от образца. Его можно использовать для анализа профиля глубины сверхтонкой многослойной пленки. Ниже показаны результаты анализа профиля глубины многослойного пленочного зеркала Mo/Si для EUV-литографии.
Можно оценить тонкую пленку толщиной около 10 нм/слой, изучив структуру слоя и оценив четкость интерфейса.

③Конфигурация прибора, позволяющая проводить измерения широкого спектра материалов – Другие различные насадки-

JPS-9030 предоставляет множество опций. Более того, мы готовы производить насадки по запросу наших пользователей.

Множество вариантов

• Источник монохроматического рентгеновского излучения, который может улучшить энергетическое разрешение

• Источник кластерных ионов Ar, подходящий для легко повреждаемых органических образцов

• Инфракрасная система отопления повышает температуру до 1,000°C

• Сосуд для переноса, который обеспечивает изолированный от воздуха перенос образца

Как и выше, доступно множество вариантов, позволяющих удовлетворить любые потребности клиентов.

Что можно сделать с помощью XPS

Примеры анализа (применения) с использованием XPS приведены ниже.

Элементный анализ верхней поверхности

XPS позволяет проводить элементный анализ верхней поверхности образца (10 нм или меньше).
Таким образом, можно легко проанализировать органическое загрязнение, которое трудно определить по внешнему виду.

Анализ состояния химической связи

Помимо элементного анализа, XPS позволяет проводить анализ состояния химических связей.
Например, в литий-ионном аккумуляторе можно оценить тип соединения Li, находящегося на электроде.

Анализ профиля глубины

Выполняя анализ профиля глубины с использованием XPS, можно оценить структуру слоев от очень тонкого образца толщиной около 10 нм до образца толщиной в несколько мкм толщина и состояние химических связей на границах раздела.

Характеристики

Скачать буклет

Фотоэлектронный спектрометр JPS-9030

Приложения

Приложение JPS-9030

УрусиПримечание

БатареяПримечание

Применение MALDI: Анализ органических тонких пленок

Примечание о твердотельной батарее

Галерея

• 
• 

Подробнее