ESR материалов - Магнитный резонанс с электрическим обнаружением 1-

Цели ЭДМР

• ・Выпрямительный диод,
• ·Светодиод,
• ·Топливный элемент,
• ・Солнечная батарея и т. д.

Для таких материалов, как солнечные элементы, светоизлучающие диоды и полевые транзисторы, центр рекомбинации расположен на мелком уровне, и обнаружение ЭДМР иногда затруднено. Даже в таких случаях ЭДМР может наблюдаться при крайне низкой температуре.

информация ЭДМР

При использовании метода EDMR ожидается информация о материалах, непосредственно связанных с их свойствами.

• Зависимость от напряжения → характеристики переключения, долговечность
• Зависимость смещения → выдерживаемое напряжение
• Мод. Частотная зависимость → Скорость рекомбинации
• Угловая зависимость → Дефектная структура
• Температурная зависимость → Механизм рекомбинации, Долговечность

ЭДМР наблюдение

В запрещенной зоне находится центр рекомбинации (примесный уровень), который имеет функцию захвата другого носителя, как только будет захвачен один электрон или дырка. Возможность регистрации сигнала ЭДМР полупроводника зависит от положения центра рекомбинации в запрещенной зоне. В случае, если центр рекомбинации расположен вдали от полосы (глубокий уровень), сигнал ЭДМР легко наблюдается даже при комнатной температуре. Большинство глубоких уровней не ионизированы и находятся под нейтральным зарядом. Он испускает электрон или дырку при приложении напряжения или повышения температуры. Известно, что в pn-переходе, легированном переходным металлом, таким как платина (Pt), сигнал ЭДМР легко наблюдается, поскольку центр рекомбинации формируется на глубоком уровне [1].

Рис.1 Энергетическая полоса

Дополнительную информацию см. в файле PDF.
Другое окно открывается при нажатии.

PDF 304 KB