Закрыть кнопку

Выберите свой региональный сайт

Закрыть

Достигает самого высокого в мире разрешения с помощью недавно разработанного аналитического электронного микроскопа с атомарным разрешением «GRAND ARM™2».

ЭМ2020-09Е

Отличительной чертой нового аналитического электронного микроскопа с атомарным разрешением (GRAND ARM™2) является «стабильность», которая была реализована за счет разработок корпуса колонны микроскопа, облегченной электронной пушки, источников питания объектива с улучшенной стабильностью и так далее. Высшая стабильность обеспечивает высочайшее разрешение. Другой важной особенностью является «высокая аналитическая чувствительность при атомарном разрешении», которая была реализована с помощью новой линзы объектива оптимизированной формы «FHP2». Комбинация этого нового объектива и коллектора аберраций ETA, разработанного JEOL, обеспечивает более широкую плоскую фазовую область на ронхиграмме STEM, чем у предыдущей машины. Таким образом, новый аналитический электронный микроскоп с атомарным разрешением имеет высочайшее разрешение с улучшенной стабильностью и высокой аналитической чувствительностью.

ДЖЕМ-ARM300F2

Достигает разрешения STEM-ADF 40.5 пм

На рисунках 1(a) и (c) показаны STEM-HAADF-изображения кристалла GaN, спроецированные вдоль направления [212]. (а) было получено при сканировании одного кадра и (в) получено путем интеграции 20 кадров. (b) и (d) представляют собой шаблоны БПФ для этих изображений STEM-HAADF. На рис. 1 (а), полученном в одном кадре, разрешена гантель, показывающая межатомное расстояние Ga-Ga, равное 40.5 пм. Кроме того, на его диаграмме БПФ (рис. 1(б)) показано пятно, соответствующее 39.3 млн, а также одно, соответствующее 40.5 млн. На изображении STEM-HAADF, полученном путем интегрирования 20 кадров на рис. 1 (c), более четко показано гантелечное расстояние Ga-Ga. А его картина БПФ, показанная на рис. 2(d), показывает пятно на 36.1 pm, что еще более далеко от полученного на рис. 1(b). Эти результаты показывают, что именно этот микроскоп обеспечивает самое высокое разрешение.

Рис. 1. (a) STEM-HAADF-изображение GaN [212], полученное путем получения одного кадра. (b) БПФ-диаграмма изображения, показанного на (a). (c) Изображение STEM-HAADF, полученное путем интегрирования 20 кадров. (d) Рисунок БПФ изображения, показанного на (c).

Рис. 1. (a) STEM-HAADF-изображение GaN [212], полученное при однокадровой съемке. (б) картина БПФ изображения, показанного в (а). (c) Изображение STEM-HAADF, полученное путем интегрирования 20 кадров. (d) Рисунок БПФ изображения, показанного на (c).

Дополнительную информацию см. в файле PDF.
Другое окно открывается при нажатии.

PDF 1.35 МБ
Закрыть
Уведомление

Вы медицинский работник или персонал, занимающийся медицинским обслуживанием?

Нет

Напоминаем, что эти страницы не предназначены для предоставления широкой публике информации о продуктах.

Основы электронной микроскопии

Простое объяснение механизмов и
применения продуктов JEOL

Контакты

JEOL предлагает широкий ряд услуг по техническому обслуживанию и ремонту, чтобы наши клиенты могли спокойно и осознанно работать с оборудованием.
Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам!