Картирование элементов с атомарным разрешением с помощью EELS и XEDS в STEM с коррекцией аберраций

Недавние улучшения в коррекции аберраций принесли огромные преимущества не только в визуализации с высоким разрешением, но и в анализе с высоким разрешением с помощью спектрометрии потерь энергии электронов (EELS) и рентгеновской энергодисперсионной спектрометрии (XEDS) в сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM). Как только формирование падающего зонда оптимизировано, анализ с атомарным разрешением может быть выполнен путем получения достаточного количества сигналов для соответствующего химического анализа при сохранении малых размеров зонда. Кроме того, для химического анализа с атомарным разрешением необходимы более сложные подходы к сбору и анализу данных, такие как визуализация спектра (SI) и многомерный статистический анализ (MSA). На самом деле можно получать химические изображения материалов с атомарным разрешением, поскольку пространственное разрешение и аналитическая чувствительность значительно улучшаются в сочетании прибора для коррекции аберраций с передовыми методами получения и анализа. В этой рукописи формирование падающего зонда, сбор данных и анализ данных рассматриваются для химического анализа с атомарным разрешением с помощью EELS и XEDS в инструментах с коррекцией аберраций. Затем показано несколько применений химических изображений с атомарным разрешением, полученных с помощью недавно разработанного микроскопа с коррекцией аберраций JEM-ARM200F, для решения будущих тенденций в химическом анализе материалов.