Анализ химического состояния с использованием AES

Некоторые полупроводниковые устройства имеют структуру, в которой тонкие металлические пленки, такие как Ti и Pt, проявляются на SiO2 поверх Si-подложки. Поверхность раздела этих металлических пленок часто при определенных условиях подвергается химической реакции, которая не материализуется, как предполагалось изначально. Оже-анализ с высоким энергетическим разрешением широко используется для изучения химического состояния такой границы раздела.