Чтобы повысить производительность в процессе производства полупроводников, причины дефекта должны быть изучены как с помощью визуального наблюдения, так и анализа элементов в SEM.
Особенности
Чтобы повысить производительность в процессе производства полупроводников, причины дефекта должны быть изучены как с помощью визуального наблюдения, так и анализа элементов в SEM.
JWS-3000 может связывать координатные данные, легко перемещать предметный столик в положение дефекта, а затем проверять и наблюдать его на SEM высокого разрешения, используя онлайн-соединение с различными системами оптического контроля дефектов. Используя ADR (автоматический просмотр дефектов) и ADC (автоматическая классификация дефектов), JWS может автоматически собирать данные о дефектах и классифицировать их для быстрого поиска источника. Важной особенностью является простота эксплуатации без специальной подготовки.
Используя суперконическую линзу объектива, пластину можно наклонять до 45° без изменения рабочего расстояния. Высокое разрешение сохраняется даже при наклонном наблюдении.
Нет необходимости настраивать каждую ось при изменении условий наблюдения. JWS может быть оснащен различными дополнительными функциями, такими как; Измерение CD, оптический микроскоп, EDS, INDEXER и т. д.
Ускоряющее напряжение: 0 ~ 15 кВ
Разрешение: 3 нм при 1 кВ
Долговременная стабильность луча с помощью электронного луча TFE (мигание не требуется)
Изображение высокого разрешения под углом 45° 300-мм пластины с использованием суперконической линзы объектива
Удобная работа с расширенным графическим интерфейсом
Высокопроизводительная дефектоскопия в режиме онлайн с возможностью связи с оптическими системами дефектоскопии
Низкоэнергетическое наблюдение 100–500 В для материала с низким содержанием K
Высокая пропускная способность в режиме автоматического просмотра дефектов
Автоматический анализ дефектов
Доступно удаленное управление
Превосходная визуализация VC и HAR
Пример наблюдения дефекта рисунка с помощью JWS-3000
JWS-3000 может получать полезную информацию для повышения эффективности производственного процесса. Источник дефекта и частиц можно наблюдать при больших увеличениях, а также многократном изменении углов наклона и поворота.
Характеристики
| Постановления | 3 нм (при 1 кВ), 5 нм (при 300 В) |
|---|---|
| Ускоряющее напряжение | от 100 В до 20 кВ |
| Увеличение наблюдения | х 100 до х 500,000 XNUMX |
| Этап | XY: 300 мм, T: 45°, R: 360° |
| Размер образца | 300 мм (можно и 200 мм) |
| ADR (умереть, чтобы умереть) | 750 dph (стандартный образец JEOL) |
Подробнее
Вы медицинский работник или персонал, занимающийся медицинским обслуживанием?
Нет
Напоминаем, что эти страницы не предназначены для предоставления широкой публике информации о продуктах.