Серия JBX-8100FS
Системы электронно-лучевой литографии

Система электронно-лучевой литографии точечного типа JBX-8100FS обеспечивает высокую производительность, компактность и экономию электроэнергии.

Особенности

Маленький след

Площадь, необходимая для стандартной системы, составляет 4.9 м (Ш) x 3.7 м (Г) x 2.6 м (В), что намного меньше, чем у обычных систем.

Низкое энергопотребление

Мощность, необходимая для нормальной работы, составляет примерно 3 кВА, что составляет 1/3 мощности обычных систем.

Высокая пропускная способность

Система имеет два режима экспонирования, режимы высокого разрешения и высокой пропускной способности, поддерживающие различные типы моделирования от сверхточной обработки до производства малых и средних размеров. Это свело к минимуму время простоя во время экспозиции, увеличив максимальную скорость сканирования в 1.25-2.5 раза до 125 МГц (самый высокий мировой уровень) для высокоскоростной записи.

Версия

JBX-8100FS доступен в 2 версиях: G1 (начальная модель) и G2 (полная модель). При необходимости к модели G1 можно добавить дополнительные аксессуары.

Новые функции

Дополнительный оптический микроскоп позволяет исследовать узоры на образце, не подвергая резист воздействию света. В стандартную комплектацию входит сигнальная башня для визуального контроля работы системы.

Разрешение лазерного позиционирования

Положения столика измеряются и контролируются с шагом 0.6 нм в стандартной комплектации и с шагом 0.15 нм при дополнительном обновлении.

Контроль системы

Универсальная операционная система Linux® в сочетании с новым графическим пользовательским интерфейсом упрощают работу. Программа подготовки данных поддерживает как Linux®, так и Windows®.

Модель 200 кВ！

Максимальное ускоряющее напряжение В мир 200 кВ

JBX-8100FS — это система EBL прямой записи с гауссовой оптикой, предназначенная для реализации требований высокой пропускной способности и высокой точности для широкого спектра приложений.
Модульная и обновляемая платформа поддерживает множество областей от производства передовых наноструктур до производства составных полупроводниковых устройств.

Включение расширенных приложений, таких как голография, шкала серого и массивы микролинз

Изображения ниже представляют собой сравнение EBL между 100 кВ и 200 кВ.
200 кВ демонстрирует уменьшенный эффект сужения при значительной толщине резиста.

Сравнение ускоряющего напряжения между 100 кВ и 200 кВ (образец: резист толщиной 10 мкм)

Ускоряющее напряжение 100 кВ
3,000 мкКл/см2

Ускоряющее напряжение 200 кВ
5,000 мкКл/см2

Сопротивление: ПММА
Толщина: 10 мкм
Размер поля: 500 мкм
Ширина узора: 2 мкм
Подложка: Si

Примечания:
Windows является зарегистрированным товарным знаком Microsoft Corporation в США и других странах.
Linux® является зарегистрированным товарным знаком Линуса Торвальдса в США и других странах.

Характеристики

Скачать буклет

Система электронно-лучевой литографии серии JBX-8100FS

Приложения

Приложение JBX-8100FS

Разработка системы электронно-лучевой литографии JBX-8100FS

Фото

• 
• 

Подробнее