JBX-3050MV/S — это система литографии электронного луча переменной формы для масок и сеток с нормой проектирования узла до 45 нм. Ее передовая технология обеспечивает высокую скорость, высокую точность и высокую надежность. Эта система EB использует электронный луч переменной формы 50 кВ и этап шага и повтора.
Особенности
JBX-3050MV/S — это система электронно-лучевой литографии для изготовления масок/сеток, которая соответствует норме проектирования 45 нм. Эта система отличается высокой скоростью, точностью и надежностью записи шаблонов, что достигается за счет передовых технологий.
Характеристики
Точность шитья | ≦±3.8 нм |
---|---|
Точность наложения | ≦±7 нм |
Подробнее


Вы медицинский работник или персонал, занимающийся медицинским обслуживанием?
Нет
Напоминаем, что эти страницы не предназначены для предоставления широкой публике информации о продуктах.