Серия Gather-X JED
DrySD™ EDS без окон
Исследуйте науку с анализом JSM-IT800/Windows EDS
ЭДС-анализ без стресса от легких до тяжелых элементов!
Благодаря углеродной нейтральности разработка материалов становится все более важной.
Например, в материалах для батарей требуется широкий спектр анализа от легких элементов, таких как литий, до переходных металлов, включая никель, кобальт и марганец.
Потребность в эффективном и высокочувствительном анализе возрастает при анализе полупроводниковых материалов и наночастиц катализаторов.
Недавно разработанный DrySD™ Gather-X представляет собой EDS безоконного типа, который можно установить на JSM-IT800*. Высокочувствительный рентгеновский анализ возможен во всех энергетических диапазонах, включая низкоэнергетические характеристические рентгеновские лучи, такие как Li-K (54 эВ). Кроме того, функция безопасности, связанная с JSM-IT800 и программным обеспечением интеграции SEM/EDS, может обеспечить безопасную и удобную работу любому человеку.
Особенности
Обнаружение характеристического рентгеновского излучения менее 100 эВ (области мягкого рентгеновского излучения)
Анализ высокой чувствительности для всех энергетических областей
Анализ высокой чувствительности для всех энергетических областей
Обнаружение характеристического рентгеновского излучения менее 100 эВ (области мягкого рентгеновского излучения)
Безоконная ЭДС позволяет значительно повысить чувствительность обнаружения характеристического рентгеновского излучения менее 1 кэВ, а также обнаруживать области мягкого рентгеновского излучения менее 100 эВ (Li-K и др.).
Пример анализа материала анода для твердотельной литий-ионной батареи
Образец: кремниевый анод для всех твердотельных литий-ионных аккумуляторов
Условия анализа: Ускоряющее напряжение 3 кВ, диаметр 7 мм,
Ток зонда 0.6 нА, время измерения 15 мин.
РЭМ: JSM-IT800 ＜SHL＞
Образец любезности:
Профессор Ацунори Мацуда
Кафедра электротехнической и электронной информационной инженерии,
Университет Тойохаси. технологий
Карты ЭДС лития (Li-K: 54 эВ) и кремния (Si-L: 90 эВ). Поскольку два спектральных пика с близкой друг к другу энергией рентгеновского излучения разделены и нанесены на карту, карты выявили распределение лития и кремния на кремниевом аноде.
Высокая способность обнаруживать рентгеновское излучение с энергией менее 100 эВ является главной особенностью безоконной ЭДС.
Большой телесный угол
Большой телесный угол позволяет проводить анализ ЭДС с высокой скоростью счета. Это преимущество приводит к значительному сокращению времени измерения и значительному подавлению повреждения образца электронным пучком.
Пример анализа катодного материала для литий-ионного аккумулятора
Образец: Катодный материал для литий-ионного аккумулятора
Условия анализа: Ускоряющее напряжение 1.5 кВ, (смещение к образцу: –5 кВ),
Диаметр 7 мм, ток зонда 4.8 нА, время измерения 13 мин.
РЭМ: JSM-IT800 ＜SHL＞
Карты ЭДС активных веществ марганца (Mn), кобальта (Co), никеля (Ni) и кислорода (O), электронно-проводящего ассистента углерода (C) и связующего фтора (F).
Эти материалы чувствительны к повреждению электронным лучом, а связующие вещества распределяются по поверхности образца. Карты ЭДС были выполнены при низком ускоряющем напряжении (1.5 кВ).
По сравнению со стандартным EDS (DrySD™ 100 мм)2), количество рентгеновских лучей в EDS без окон выше, что повышает точность разделения пиков. Высокие значения позволили нам получить более четкое и точное распределение фтора.
Рентгеновский датчик в форме беговой дорожки приближает детектор к образцу, обеспечивая большой телесный угол.
Анализ при высоком ускоряющем напряжении
Система ловушки электронов, которая предотвращает попадание обратно рассеянных электронов из образца в рентгеновский датчик, позволяет проводить качественный и количественный анализ даже при высоком напряжении 30 кВ.
Пример анализа STEM/EDS для полупроводников
STEM/EDS анализ полупроводникового материала при ускоряющем напряжении 30 кВ.
Поскольку обратнорассеянные электроны задерживаются, подавляется увеличение фона и предотвращается повреждение рентгеновского датчика.
Образец: пластина силового полупроводника SiC, фрезерованная FIB.
Условия анализа: Ускоряющее напряжение 30 кВ, диаметр 8 мм,
Ток зонда 4.1 нА, время измерения 5 мин.
РЭМ: JSM-IT800 ＜SHL＞* 1
Используется STEM-детектор Дебена.
Программное обеспечение для фазового анализа EDS не является обязательным.
●Фазовая карта EDS
Программное обеспечение для фазового анализа EDS* 2 позволяет идентифицировать соответствующие фазы в образце, что позволяет различать соединения нескольких элементов (не ограничиваясь каждым элементом).
Карта высокого пространственного разрешения
Краткий анализ режима WD/BD
Качественный анализ с более коротким WD, чем стандартный WD (7 мм), вместе с комбинированным использованием режима BD, который подает напряжение смещения на предметный столик, позволяет получить карту EDS с высоким пространственным разрешением при низком ускоряющем напряжении.
Пример анализа катализаторов (наночастиц)
Карты EDS наночастиц серебра (Ag) (размер 18 нм) на оксиде титана, наблюдаемые при увеличении × 200,000 XNUMX.
Карты EDS с высоким пространственным разрешением эффективны для анализа мелких частиц, таких как частицы катализатора.
Образец: наночастицы Ag на оксиде титана
Условия анализа: Ускоряющее напряжение 5 кВ, (смещение к образцу: –5 кВ),
Диаметр 4 мм, ток зонда 1 нА, время измерения 9 мин.
РЭМ: JSM-IT800 ＜SHL＞
Кремовый цвет: Ag-L Фиолетовый цвет: OK + Ti-L
Эта функция показывает максимальную мощность JSM-IT800 для превосходного анализа SEM / EDS.
Высокая работоспособность
Интеграция с ЭЦП
Вы можете управлять безоконным EDS с помощью управляющего программного обеспечения SEM (SEM Center) для JSM-IT800. С помощью Gather-X можно выполнять плавные операции от наблюдения СЭМ до анализа ЭДС.
Анализ EDS (точка, область, карта, линия) на экране монитора SEM Center может быть выполнен.
Функции скрининга также обширны, включая Live Analysis и Live MAP.
Системы безопасности, связанные с JSM-IT800
JEOL, как производитель электронных микроскопов, реализующий технологии систем безопасности, обеспечивает безопасную работу благодаря защитной связи с JSM-IT800 и Gather-X.
Система защиты рентгеновского датчика
Система безопасности предотвращает повреждение охлаждаемого рентгеновского датчика из-за воздействия на него воздуха.
Когда рентгеновский датчик охлаждается, уровень вакуума в камере для образцов РЭМ ограничен.
Система предотвращения столкновений со ступенью SEM
Система предотвращает столкновение детектора с различными держателями в месте установки. Движение предметного столика ограничено в зависимости от размера держателя образца. Таким образом, обеспечивается безопасный анализ.
Система предотвращения столкновений для различного дополнительного навесного оборудования
Система предотвращает столкновение детектора с различными опциями, подключенными к JSM-IT800. Если дополнительное приспособление расположено в месте, где оно может столкнуться с вставленным детектором, положение установки Gather-X автоматически ограничивается.
Когда Gather-X не будет сталкиваться с вставленным вложением,
анализ может быть выполнен в положении вставки Gather-X.
Чтобы предотвратить столкновение с вставленной насадкой,
положение вставки Gather-X ограничено.
Характеристики
| Обнаруживаемые элементы | Ли к U |
|---|---|
| Энергетическое разрешение | 129 эВ или менее (Mn-Kα) 59 эВ или меньше (C-Kα) |
| Тип рентгеновского датчика | Тип твердотельного накопителя |
| Размер рентгеновского датчика | 100 мм2 |
| Посадочное напряжение | 30 кВ или менее |
| Вакуумный режим | Режим высокого вакуума |
| Охлаждение рентгеновского датчика | Охлаждение Пельтье |
| система привода | двигатель привода |
| Система безопасности | Система защиты рентгеновского датчика, связанная с вакуумом JSM-IT800 ( Рентгеновский датчик охлаждается только в режиме высокого вакуума ) Система предотвращения столкновений со сценой и различными насадками |
| Собрать-X контроль | Встроен в управляющее программное обеспечение SEM |
| Поддерживаемые модели | JSM-IT800＜HL＞, JSM-IT800＜SHL/SHLs＞ |
| Установка большого города, |
Комнатная температура: 20 ± 5 ℃ Влажность: 60% или менее (без конденсации) |
| Несколько детекторов | Возможна конфигурация со Стандартной ЭЦП |
Скачать буклет
Серия Gather-X JED DrySD™ безоконный EDS
Связанные товары
Автоэмиссионный сканирующий электронный микроскоп Шоттки JSM-IT800
JSM-IT800 включает в себя нашу «автоэмиссионную электронную пушку Шоттки Плюс в объективе» для визуализации с высоким разрешением для быстрого картирования элементов и инновационную электронно-оптическую систему управления «Neo Engine», а также систему бесшовного графического интерфейса «SEM Center». для быстрого картирования элементов с помощью полностью встроенного энергодисперсионного рентгеновского спектрометра (EDS) JEOL в качестве общей платформы.
JSM-IT800 позволяет заменять объектив РЭМ как модуль, предлагая различные версии для удовлетворения различных требований пользователей. Для JSM-IT800 доступно пять версий с разными объективами: версия с гибридным объективом (HL), которая представляет собой FE-SEM общего назначения; версия с супергибридным объективом (SHL/SHL, две версии с разными функциями), которая обеспечивает наблюдение и анализ с более высоким разрешением; и недавно разработанная версия с полулинзой (i/is, две версии с разными функциями), которая подходит для наблюдения за полупроводниковыми приборами.
Кроме того, JSM-IT800 также может быть оснащен новым сцинтилляционным детектором обратно рассеянных электронов (SBED) и универсальным детектором обратно рассеянных электронов (VBED). SBED позволяет получать изображения с высокой чувствительностью и обеспечивает резкий контраст материалов даже при низком ускоряющем напряжении, в то время как VBED помогает получать трехмерные изображения, рельефы и контрасты материалов. Таким образом, JSM-IT3 может помочь пользователям получить информацию, которую невозможно было получить, и решить проблемы измерения.
Подробнее
Вы медицинский работник или персонал, занимающийся медицинским обслуживанием?
Нет
Напоминаем, что эти страницы не предназначены для предоставления широкой публике информации о продуктах.