Закрыть кнопку

Выберите свой региональный сайт

Закрыть

BS-80020CPPS
Источник плазмы
для низкотемпературного процесса

Источник плазмы BS-80020CPPS для низкотемпературного процесса

Этот источник плазмы предназначен для низкотемпературных процессов, например, для пластиковой подложки/пленки. Качество пленки вакуумного осаждения может быть улучшено с помощью плазменного осаждения при снижении повышения температуры подложки. А также может использоваться для плазменной обработки, такой как очистка и модификация поверхности.

Особенности

Может образовывать оксидные пленки высокой плотности в низкотемпературном процессе. 
Реактивное осаждение плазмой, возбуждаемой электронным пучком, связанное с эффектами ионного ассистента.
Метод активированного реактивного испарения (ARE), обеспечивающий высокоэффективный разряд над тиглем для повышения ионизации испаряемых материалов.
Выбирается из режима CPPS, низкотемпературного процесса и обычного плазменного режима.
Возможна модернизация существующей вакуумной камеры. 

Характеристики

Максимальный выход плазмы 3.2кВт (160В, 20А)
Максимальный вспомогательный выход 2кВт (200В, 10А)
Рабочее давление 8 × 10-3 до 8 × 10-2Па (Ар, О2, N2 атмосфера)
Выпускной газ (Ar) от 8 до 20 мл/мин
Охлаждающая вода От 5 до 8 л / мин
Применимый источник питания управления БС-92040КППК

Скачать буклет

Связанные товары

Связанные товары

Подробнее

Основы электронной микроскопии

Простое объяснение механизмов и
применения продуктов JEOL

Закрыть
Уведомление

Вы медицинский работник или персонал, занимающийся медицинским обслуживанием?

Нет

Напоминаем, что эти страницы не предназначены для предоставления широкой публике информации о продуктах.

Контакты

JEOL предлагает широкий ряд услуг по техническому обслуживанию и ремонту, чтобы наши клиенты могли спокойно и осознанно работать с оборудованием.
Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам!