BS-80020CPPS
Источник плазмы
для низкотемпературного процесса
Этот источник плазмы предназначен для низкотемпературных процессов, например, для пластиковой подложки/пленки. Качество пленки вакуумного осаждения может быть улучшено с помощью плазменного осаждения при снижении повышения температуры подложки. А также может использоваться для плазменной обработки, такой как очистка и модификация поверхности.
Особенности
Может образовывать оксидные пленки высокой плотности в низкотемпературном процессе.
Реактивное осаждение плазмой, возбуждаемой электронным пучком, связанное с эффектами ионного ассистента.
Метод активированного реактивного испарения (ARE), обеспечивающий высокоэффективный разряд над тиглем для повышения ионизации испаряемых материалов.
Выбирается из режима CPPS, низкотемпературного процесса и обычного плазменного режима.
Возможна модернизация существующей вакуумной камеры.
Характеристики
| Максимальный выход плазмы | 3.2кВт (160В, 20А) |
|---|---|
| Максимальный вспомогательный выход | 2кВт (200В, 10А) |
| Рабочее давление | 8 × 10-3 до 8 × 10-2Па (Ар, О2, N2 атмосфера) |
| Выпускной газ (Ar) | от 8 до 20 мл/мин |
| Охлаждающая вода | От 5 до 8 л / мин |
| Применимый источник питания управления | БС-92040КППК |
Скачать буклет
Источник плазмы BS-80020CPPS для низкотемпературного процесса
Связанные товары
Связанные товары
BS-80011BPG Мощный источник плазмы для плазмы высокой плотности
Источник плазмы встроен в вакуумную камеру и генерирует плазму высокой плотности. Источник плазмы можно использовать для плазменного осаждения (ионного покрытия), и можно улучшить свойства пленки для оптических тонких пленок, защитных пленок и функциональных пленок. А также может использоваться для плазменной обработки, такой как очистка и модификация поверхности.
Подробнее
Вы медицинский работник или персонал, занимающийся медицинским обслуживанием?
Нет
Напоминаем, что эти страницы не предназначены для предоставления широкой публике информации о продуктах.